美思迪賽半導體推出全球極簡零外圍小功率開關芯片

美(mei)思迪賽半導體推出新一(yi)代全集(ji)成小功(gong)率開關(guan)(guan)器件,內置(zhi)所有周邊的RC器件，外圍(wei)(wei)極致(zhi)精簡，當客戶(hu)需(xu)要(yao)設計一(yi)個3-12W的Flyback開關(guan)(guan)電源(yuan)時基(ji)本做到零外圍(wei)(wei)器件，芯片內置(zhi)超高耐壓(ya)900V功(gong)率開關(guan)(guan)管及啟(qi)動器件，在5W以下(xia)應用(yong)場合(he)可省去初級側RCD峰(feng)值(zhi)電壓(ya)吸(xi)收(shou)回路(lu)！

普通方案：

極致精簡，全部9pcs器件：

該(gai)系列采用(yong)PSR控制技術(shu)能精準的控制恒流恒壓輸出(chu)：

美思(si)迪賽半(ban)導體(ti)全集成的(de)功(gong)率(lv)器件為客戶的(de)產(chan)品(pin)(pin)設(she)計帶來極(ji)大的(de)簡單和便利的(de)同時將產(chan)品(pin)(pin)生(sheng)產(chan)效率(lv)提升到前所未有的(de)高(gao)度。此前美思(si)迪賽芯(xin)片憑借穩定的(de)性(xing)能和極(ji)簡的(de)外圍已經相繼(ji)進(jin)入(ru)了、等(deng)知(zhi)手(shou)機名品牌快充供應鏈，。

PCBA Bottom View：

產品特點：
超高集成(cheng)度,內置所有外圍器(qi)件，整個(ge)方案僅需(xu)9 PCS外圍器(qi)件；
內置900V超高壓啟動器件及功率開(kai)關管；
滿足印度市(shi)場要(yao)求寬輸入(ru)電(dian)壓(ya)90~380Vac(Peak 420Vac）;
準諧振(QR)工作模式；
內置CC/CV環路采樣器件，提供更(geng)加精(jing)準CC/CV輸出特性<±5%
采用(yong)傳統3繞(rao)組工作(zuo)架構，電路工作(zuo)安全、可靠、穩定(ding)；
內置遲(chi)滯特性的OTP功能
待機 < 75mW;
滿足(zu)能(neng)DOE VI級標準；

美思迪賽半(ban)導體推(tui)出的(de)(de)(de)這(zhe)個(ge)MC100X系列在其極致(zhi)精簡(jian)的(de)(de)(de)外(wai)圍的(de)(de)(de)情況下，由(you)于節省了周邊器件的(de)(de)(de)功耗(hao)具備更(geng)高的(de)(de)(de)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率(lv)，以(yi)(yi)下是以(yi)(yi)MC1007 設計(ji)的(de)(de)(de)5V1000mA的(de)(de)(de)產(chan)品實測的(de)(de)(de)效(xiao)率(lv)曲(qu)線：

輸出功率選擇表：

腳(jiao)位(wei)圖：

注(zhu)：SOP-8A Type 引腳排列將直接(jie)跟我司：MD1701/MD1700; MC1200/MC1201/ MC1202；MC1100/MC1101系列產品腳位和外圍完全Pin to Pin兼(jian)容，內部FB和CS參考點(dian)一致，不需要更改任何外圍器(qi)件。